provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | APTCV60HM45RT3G |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| IGBT-tyyppi | Trench Field Stop |
| kokoonpano | Full Bridge Inverter |
| Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi) | 600V |
| Nykyinen - Collector (Ic) (Max) | 50A |
| Teho - Max | 250W |
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 250µA |
| Tulo kapasitanssi (Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V |
| panos | Single Phase Bridge Rectifier |
| NTC Thermistor | Yes |
| Käyttölämpötila | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Chassis Mount |
| Pakkaus / kotelo | SP3 |
| Toimittajan laitepaketti | SP3 |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
Varastossa: 9
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
Varastossa: 9
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
Varastossa: 7
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
Varastossa: 10
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: POWER MOD FULL BRIDGE SP3
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP1
Varastossa: 0
