Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli APTCV40H60CT1G

Microsemi Corporation APTCV40H60CT1G

Numero di parte
APTCV40H60CT1G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP1
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 575 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    22.63020/pcs

  • 100 pcs

    22.63020/pcs
Totale:22.63020/pcsUnit Price:
22.63020/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteAPTCV40H60CT1G
Stato parteActive
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneFull Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600V
Corrente - Collector (Ic) (Max)80A
Potenza - Max176W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 50A
Corrente - Limite del collettore (max)250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce3.15nF @ 25V
IngressoStandard
Termistore NTCYes
temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoSP1
Pacchetto dispositivo fornitoreSP1
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