Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli APT35GP120JDQ2

Microsemi Corporation APT35GP120JDQ2

Numero di parte
APT35GP120JDQ2
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT 1200V 64A 284W SOT227
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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In stock 701 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

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  • 13 pcs

    18.11346/pcs
Totale:18.11346/pcsUnit Price:
18.11346/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteAPT35GP120JDQ2
Stato parteActive
Tipo IGBTPT
ConfigurazioneSingle
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)64A
Potenza - Max284W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.9V @ 15V, 35A
Corrente - Limite del collettore (max)350µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce3.24nF @ 25V
IngressoStandard
Termistore NTCNo
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoISOTOP
Pacchetto dispositivo fornitoreISOTOP®
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