Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Singoli APT35GP120B2DQ2G

Microsemi Corporation APT35GP120B2DQ2G

Numero di parte
APT35GP120B2DQ2G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT 1200V 96A 543W TMAX
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 75 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    10.85000/pcs

  • 10 pcs

    9.86400/pcs

  • 25 pcs

    9.12420/pcs

  • 100 pcs

    8.38430/pcs

  • 250 pcs

    7.64454/pcs
Totale:10.85000/pcsUnit Price:
10.85000/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteAPT35GP120B2DQ2G
Stato parteActive
Tipo IGBTPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)96A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)140A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.9V @ 15V, 35A
Potenza - Max543W
Cambiare energia750µJ (on), 680µJ (off)
Tipo di inputStandard
Carica del cancello150nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C16ns/95ns
Condizione di test600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-247-3 Variant
Pacchetto dispositivo fornitore-
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