Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzeln APT35GP120B2DQ2G

Microsemi Corporation APT35GP120B2DQ2G

Artikelnummer
APT35GP120B2DQ2G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 1200V 96A 543W TMAX
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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  • 10 pcs

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    9.12420/pcs

  • 100 pcs

    8.38430/pcs

  • 250 pcs

    7.64454/pcs
Gesamt:10.85000/pcsUnit Price:
10.85000/pcs		Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerAPT35GP120B2DQ2G
TeilstatusActive
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)96A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)140A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic3.9V @ 15V, 35A
Leistung max543W
Energie wechseln750µJ (on), 680µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Ladung150nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C16ns/95ns
Testbedingung600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Paket / FallTO-247-3 Variant
Lieferantengerätepaket-
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