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| Artikelnummer | APT35GP120JDQ2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | PT |
| Aufbau | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 64A |
| Leistung max | 284W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 35A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 350µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 3.24nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | ISOTOP |
| Lieferantengerätepaket | ISOTOP® |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE MODULE 1.2KV SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 900V 63A 290W TO-247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 900V 63A 290W TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 94A 379W TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 94A 379W TO264
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 96A 543W TMAX
Auf Lager: 30
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 96A 543W TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 64A 284W SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 64A 284W SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227
Auf Lager: 0
