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| Numéro d'article | APT35GP120JDQ2 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | PT |
| Configuration | Single |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 64A |
| Puissance - Max | 284W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 35A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 350µA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 3.24nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | ISOTOP |
| Package de périphérique fournisseur | ISOTOP® |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE MODULE 1.2KV SOT227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 900V 63A 290W TO-247
En stock: 30
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 900V 63A 290W TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 94A 379W TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 94A 379W TO264
En stock: 75
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 96A 543W TMAX
En stock: 30
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 96A 543W TO247
En stock: 27
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 64A 284W SOT227
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 64A 284W SOT227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227
En stock: 0
