provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Numéro d'article | APT35GN120L2DQ2G |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | NPT, Trench Field Stop |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 94A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 105A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
| Puissance - Max | 379W |
| Échange d'énergie | 2.315mJ (off) |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | 220nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 24ns/300ns |
| Condition de test | 800V, 35A, 2.2 Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-264-3, TO-264AA |
| Package de périphérique fournisseur | - |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 900V 63A 290W TO-247
En stock: 30
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 900V 63A 290W TO247
En stock: 82
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 94A 379W TO247
En stock: 93
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 94A 379W TO264
En stock: 75
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 96A 543W TMAX
En stock: 30
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 96A 543W TO247
En stock: 27
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 64A 284W SOT227
En stock: 14
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 64A 284W SOT227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 55A 260W SOT227
En stock: 0
