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| Numero de parte | APT35GN120L2DQ2G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de IGBT | NPT, Trench Field Stop |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 94A |
| Corriente - colector pulsado (Icm) | 105A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
| Potencia - Max | 379W |
| Conmutación de energía | 2.315mJ (off) |
| Tipo de entrada | Standard |
| Cargo de puerta | 220nC |
| Td (encendido / apagado) a 25 ° C | 24ns/300ns |
| Condición de prueba | 800V, 35A, 2.2 Ohm, 15V |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-264-3, TO-264AA |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 900V 63A 290W TO-247
En stock: 30
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 900V 63A 290W TO247
En stock: 82
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 94A 379W TO247
En stock: 93
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 94A 379W TO264
En stock: 75
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 96A 543W TMAX
En stock: 30
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 96A 543W TO247
En stock: 27
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 64A 284W SOT227
En stock: 14
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 64A 284W SOT227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 55A 260W SOT227
En stock: 0
