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| Numero de parte | APT35GA90B |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de IGBT | PT |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 900V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 63A |
| Corriente - colector pulsado (Icm) | 105A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 18A |
| Potencia - Max | 290W |
| Conmutación de energía | 642µJ (on), 382µJ (off) |
| Tipo de entrada | Standard |
| Cargo de puerta | 84nC |
| Td (encendido / apagado) a 25 ° C | 12ns/104ns |
| Condición de prueba | 600V, 18A, 10 Ohm, 15V |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 [B] |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247
En stock: 77
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247
En stock: 3
