Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli APT22F120B2

Microsemi Corporation APT22F120B2

Numero di parte
APT22F120B2
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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In stock 17 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    12.27500/pcs
  • 30 pcs

    10.92934/pcs
Totale:12.27500/pcsUnit Price:
12.27500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteAPT22F120B2
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C23A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs260nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds8370pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1040W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs700 mOhm @ 12A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreT-MAX™ [B2]
Pacchetto / casoTO-247-3 Variant
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