Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln APT22F120B2

Microsemi Corporation APT22F120B2

Artikelnummer
APT22F120B2
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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12.27500/pcs
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Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerAPT22F120B2
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)1200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C23A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs260nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds8370pF @ 25V
Vgs (Max)±30V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)1040W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs700 mOhm @ 12A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketT-MAX™ [B2]
Paket / FallTO-247-3 Variant
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