| Artikelnummer | APT22F120B2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8370pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1040W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 12A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | T-MAX™ [B2] |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 195A ISOTOP
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Hersteller: Kingbright
Beschreibung: LED GREEN CLEAR 0805 SMD
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Hersteller: Kingbright
Beschreibung: EMITTER IR 940NM 50MA 0805
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Hersteller: Kingbright
Beschreibung: LED RED CLEAR 0805 SMD
Auf Lager: 6000