Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Module APT200GT60JR

Microsemi Corporation APT200GT60JR

Artikelnummer
APT200GT60JR
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 600V 195A ISOTOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerAPT200GT60JR
TeilstatusActive
IGBT-TypNPT
AufbauSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)195A
Leistung max500W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)25µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce8.65nF @ 25V
EingangStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketSOT-227
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