Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzeln APT200GN60B2G

Microsemi Corporation APT200GN60B2G

Artikelnummer
APT200GN60B2G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 600V 283A 682W TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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  • Referenzpreis

    (In US-Dollar)
  • 1 pcs

    11.94000/pcs
  • 10 pcs

    11.04600/pcs
  • 25 pcs

    10.15040/pcs
  • 100 pcs

    9.43390/pcs
  • 250 pcs

    8.65770/pcs
Gesamt:11.94000/pcs Unit Price:
11.94000/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer APT200GN60B2G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 283A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 600A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 200A
Leistung max 682W
Energie wechseln 13mJ (on), 11mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 1180nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 50ns/560ns
Testbedingung 400V, 200A, 1 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket -
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