Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Singoli APT200GN60B2G

Microsemi Corporation APT200GN60B2G

Numero di parte
APT200GN60B2G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT 600V 283A 682W TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 150 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    11.94000/pcs
  • 10 pcs

    11.04600/pcs
  • 25 pcs

    10.15040/pcs
  • 100 pcs

    9.43390/pcs
  • 250 pcs

    8.65770/pcs
Totale:11.94000/pcs Unit Price:
11.94000/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte APT200GN60B2G
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 283A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 600A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 200A
Potenza - Max 682W
Cambiare energia 13mJ (on), 11mJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 1180nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 50ns/560ns
Condizione di test 400V, 200A, 1 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore -
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