Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli APT200GT60JR

Microsemi Corporation APT200GT60JR

Numero di parte
APT200GT60JR
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT 600V 195A ISOTOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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In stock 670 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

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    19.59375/pcs
Totale:19.59375/pcsUnit Price:
19.59375/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteAPT200GT60JR
Stato parteActive
Tipo IGBTNPT
ConfigurazioneSingle
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600V
Corrente - Collector (Ic) (Max)195A
Potenza - Max500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 200A
Corrente - Limite del collettore (max)25µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce8.65nF @ 25V
IngressoStandard
Termistore NTCNo
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoSOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-227
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