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| Numero de parte | ALD110808ASCL |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 4 N-Channel, Matched Pair |
| Característica FET | Standard |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 10.6V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12mA, 3mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 4.8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 810mV @ 1µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Potencia - Max | 500mW |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 16-SOIC |
Fabricante: Advanced Linear Devices Inc.
Descripción: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
En stock: 0
Fabricante: Advanced Linear Devices Inc.
Descripción: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
En stock: 10
Fabricante: Advanced Linear Devices Inc.
Descripción: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
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Fabricante: Advanced Linear Devices Inc.
Descripción: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
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Fabricante: Advanced Linear Devices Inc.
Descripción: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
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Fabricante: Advanced Linear Devices Inc.
Descripción: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
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Fabricante: Advanced Linear Devices Inc.
Descripción: MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
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Fabricante: Advanced Linear Devices Inc.
Descripción: MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
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Fabricante: Advanced Linear Devices Inc.
Descripción: MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
En stock: 0
Fabricante: Advanced Linear Devices Inc.
Descripción: MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
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