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| Artikelnummer | STB11NM60FDT4 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 160W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 550V D2PAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
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