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| 部品番号 | STB11NM60FDT4 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 600V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 40nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 900pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 160W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 450 mOhm @ 5.5A, 10V |
| 動作温度 | - |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
