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| Artikelnummer | STB11NM60-1 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 160W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I2PAK |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Hersteller: Techflex
Beschreibung: 1" FIREFLEX SEAL TAPE BLK 36 FT
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
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Hersteller: SMC Diode Solutions
Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
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