Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STB100N6F7

STMicroelectronics STB100N6F7

Artikelnummer
STB100N6F7
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerSTB100N6F7
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1980pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)125W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs5.6 mOhm @ 50A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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