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| Artikelnummer | APT60DF100HJ |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Dioden-Typ | Single Phase |
| Technologie | Standard |
| Spannung - Spitzenrücklauf (Max) | 1000V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 90A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.8V @ 60A |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 1000V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
Auf Lager: 4
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
Auf Lager: 2
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
Auf Lager: 3
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Auf Lager: 15
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Auf Lager: 25
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247
Auf Lager: 375
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264
Auf Lager: 0
