provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Artikelnummer | APT60D100LCTG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 60A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.5V @ 60A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 280ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 250µA @ 1000V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 175°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-264 [L] |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
Auf Lager: 4
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
Auf Lager: 2
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
Auf Lager: 3
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Auf Lager: 15
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Auf Lager: 25
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247
Auf Lager: 375
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264
Auf Lager: 0
