GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227

部品番号: GA100JT12-227
メーカー: GeneSiC Semiconductor
説明: TRANS SJT 1200V 160A SOT227
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: Lead free / RoHS Compliant
家族: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

GeneSiC Semiconductor

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100.53500/pcs

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製品パラメータ

部品番号	GA100JT12-227
部品ステータス	Active
FETタイプ	-
技術	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	1200V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	160A
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	-
Vgs（th）（Max）@ Id	-
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	-
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	14400pF @ 800V
Vgs（最大）	-
FET機能	-
消費電力（最大）	535W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	10 mOhm @ 100A
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Chassis Mount
サプライヤデバイスパッケージ	SOT-227
パッケージ/ケース	SOT-227-4, miniBLOC