제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 GA100JT12-227

GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227

부품 번호
GA100JT12-227
제조사
GeneSiC Semiconductor
기술
TRANS SJT 1200V 160A SOT227
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor

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제품 매개 변수
부품 번호 GA100JT12-227
부품 상태 Active
FET 유형 -
과학 기술 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 1200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 160A
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) -
Vgs (th) (최대) @ Id -
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14400pF @ 800V
Vgs (최대) -
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 535W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 100A
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Chassis Mount
공급 업체 장치 패키지 SOT-227
패키지 / 케이스 SOT-227-4, miniBLOC
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