GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227

Número da peça: GA100JT12-227
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descrição: TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Status sem chumbo / status de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Família: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

GeneSiC Semiconductor

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Parâmetro do produto

Número da peça	GA100JT12-227
Status da Parte	Active
Tipo FET	-
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)	1200V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	160A
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	14400pF @ 800V
Vgs (Max)	-
FET Feature	-
Dissipação de energia (máx.)	535W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 100A
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Chassis Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores	SOT-227
Pacote / Caso	SOT-227-4, miniBLOC