GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227

Osa numero: GA100JT12-227
Valmistaja: GeneSiC Semiconductor
Kuvaus: TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Lyijytön tila / RoHS-tila: Lead free / RoHS Compliant
Perhe: Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

GeneSiC Semiconductor

genesic is a pioneer and a world leader in silicon carbide technology, while also invested in high power silicon technologies. the global leading manufacturers of industrial and defense systems depend on genesic's technology to elevate the performance and efficiency of their products.

Varastossa $ Määrä kpl

Viitehinta
(Yhdysvaltain dollareina)
1 pcs
100.53500/pcs
10 pcs
95.68300/pcs
25 pcs
92.44740/pcs

Kaikki yhteensä:100.53500/pcs

Unit Price:

100.53500/pcs

Tavoitehinta:

Määrä:

Tuoteparametri

Osa numero	GA100JT12-227
Osan tila	Active
FET-tyyppi	-
tekniikka	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)	1200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	160A
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	14400pF @ 800V
Vgs (Max)	-
FET-ominaisuus	-
Tehonsyöttö (maksimi)	535W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 100A
Käyttölämpötila	-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi	Chassis Mount
Toimittajan laitepaketti	SOT-227
Pakkaus / kotelo	SOT-227-4, miniBLOC