GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227

Numero di parte: GA100JT12-227
fabbricante: GeneSiC Semiconductor
Descrizione: TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

GeneSiC Semiconductor

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Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
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10 pcs
95.68300/pcs
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Unit Price:

100.53500/pcs

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Parametro del prodotto

Numero di parte	GA100JT12-227
Stato parte	Active
Tipo FET	-
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	160A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	14400pF @ 800V
Vgs (massimo)	-
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	535W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 100A
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-227
Pacchetto / caso	SOT-227-4, miniBLOC