provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | SG2013J-883B |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| Transistorityyppi | 7 NPN Darlington |
| Nykyinen - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi) | 50V |
| Vce-kylläisyys (Max) @ Ib, Ic | 1.9V @ 600µA, 500mA |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | - |
| DC Virranotto (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 900 @ 500mA, 2V |
| Teho - Max | - |
| Taajuus - Siirtyminen | - |
| Käyttölämpötila | 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Pakkaus / kotelo | - |
| Toimittajan laitepaketti | 16-CDIP |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
Varastossa: 8
