Artikelnummer | SG2013J-883B |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | 7 NPN Darlington |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 600mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.9V @ 600µA, 500mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 900 @ 500mA, 2V |
Leistung max | - |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | - |
Lieferantengerätepaket | 16-CDIP |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
Auf Lager: 8