제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - 어레이 SG2013J-883B

Microsemi Corporation SG2013J-883B

부품 번호
SG2013J-883B
제조사
Microsemi Corporation
기술
TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - 어레이
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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제품 매개 변수
부품 번호 SG2013J-883B
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 7 NPN Darlington
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 600mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 1.9V @ 600µA, 500mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 900 @ 500mA, 2V
전력 - 최대 -
빈도 - 전환 -
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
패키지 / 케이스 -
공급 업체 장치 패키지 16-CDIP
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