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| Numéro d'article | SG2013J-883B |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de transistor | 7 NPN Darlington |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 600mA |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.9V @ 600µA, 500mA |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | - |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 900 @ 500mA, 2V |
| Puissance - Max | - |
| Fréquence - Transition | - |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | - |
| Package de périphérique fournisseur | 16-CDIP |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
En stock: 8
