Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzeln APT45GP120B2DQ2G

Microsemi Corporation APT45GP120B2DQ2G

Artikelnummer
APT45GP120B2DQ2G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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  • Referenzpreis

    (In US-Dollar)

  • 1 pcs

    11.05500/pcs

  • 10 pcs

    10.22400/pcs

  • 25 pcs

    9.39480/pcs

  • 100 pcs

    8.73165/pcs

  • 250 pcs

    8.01322/pcs
Gesamt:11.05500/pcs Unit Price:
11.05500/pcs		 Zielpreis:
 Menge:
Produktparameter
Artikelnummer APT45GP120B2DQ2G
Teilstatus Active
IGBT-Typ PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 113A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 170A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 45A
Leistung max 625W
Energie wechseln 900µJ (on), 905µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 185nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 18ns/100ns
Testbedingung 600V, 45A, 5 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3 Variant
Lieferantengerätepaket -
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