provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Artikelnummer | APT45GP120BG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 170A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 45A |
| Leistung max | 625W |
| Energie wechseln | 900µJ (on), 904µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 185nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 18ns/102ns |
| Testbedingung | 600V, 45A, 5 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V TO-247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
Auf Lager: 5
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
Auf Lager: 2905
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
Auf Lager: 355
