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| Numéro d'article | APT45GP120B2DQ2G |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | PT |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 113A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 170A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 45A |
| Puissance - Max | 625W |
| Échange d'énergie | 900µJ (on), 905µJ (off) |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | 185nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 18ns/100ns |
| Condition de test | 600V, 45A, 5 Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-247-3 Variant |
| Package de périphérique fournisseur | - |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 113A 625W TMAX
En stock: 348
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 100A 625W TO247
En stock: 57
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 75A 329W SOT227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 75A 329W SOT227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 650V 92A 357W TO-247
En stock: 62
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
En stock: 0
