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| 부품 번호 | APT45GP120B2DQ2G |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| IGBT 형 | PT |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 1200V |
| 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 113A |
| 전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) | 170A |
| VCE (on) (최대) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 45A |
| 전력 - 최대 | 625W |
| 스위칭 에너지 | 900µJ (on), 905µJ (off) |
| 입력 유형 | Standard |
| 게이트 차지 | 185nC |
| Td (온 / 오프) @ 25 ° C | 18ns/100ns |
| 시험 조건 | 600V, 45A, 5 Ohm, 15V |
| 역 회복 시간 (trr) | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 Variant |
| 공급 업체 장치 패키지 | - |
제조사: Microsemi Corporation
기술: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
재고: 0
제조사: Microsemi Corporation
기술: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
재고: 0
제조사: Microsemi Corporation
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