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| Artikelnummer | APT45GR65B |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 650V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 92A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 168A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 45A |
| Leistung max | 357W |
| Energie wechseln | 900µJ (on), 580µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 203nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 15ns/100ns |
| Testbedingung | 433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V TO-247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
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