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| Número da peça | APT100S20BG |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo de diodo | Schottky |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Máx.) | 200V |
| Corrente - Média Rectificada (Io) | 120A |
| Voltagem - Encaminhar (Vf) (Máx.) @ Se | 950mV @ 100A |
| Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo de recuperação inversa (TRR) | 70ns |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr | 2mA @ 200V |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-247-2 |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-247 [B] |
| Temperatura de operação - junção | -55°C ~ 150°C |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Em estoque: 14
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Em estoque: 3
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
Em estoque: 7
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
Em estoque: 30
