provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Numero de parte | APT100S20BG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 120A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 950mV @ 100A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 70ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2mA @ 200V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-2 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 [B] |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
En stock: 14
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
En stock: 3
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
En stock: 7
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
En stock: 30
