Numéro d'article | APT100S20BG |
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État de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Rectifié moyen (Io) | 120A |
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 100A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 70ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2mA @ 200V |
Capacitance @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | TO-247-2 |
Package de périphérique fournisseur | TO-247 [B] |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
En stock: 14
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
En stock: 3
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
En stock: 7
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
En stock: 30