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| Número da peça | APT100GT60JR |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo IGBT | NPT |
| Configuração | Single |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 148A |
| Power - Max | 500W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 100A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 25µA |
| Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | 5.15nF @ 25V |
| Entrada | Standard |
| Termistor NTC | No |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Pacote / Caso | ISOTOP |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | ISOTOP® |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Em estoque: 14
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Em estoque: 3
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
Em estoque: 7
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
Em estoque: 30
