Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Module APT100GT60JR

Microsemi Corporation APT100GT60JR

Artikelnummer
APT100GT60JR
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 600V 148A 500W SOT227
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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    (In US-Dollar)

  • 1 pcs

    12.66000/pcs

  • 10 pcs

    11.70900/pcs

  • 25 pcs

    10.75940/pcs

  • 100 pcs

    10.00000/pcs

  • 250 pcs

    9.17720/pcs

  • 500 pcs

    8.73416/pcs
Gesamt:12.66000/pcsUnit Price:
12.66000/pcs		Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerAPT100GT60JR
TeilstatusActive
IGBT-TypNPT
AufbauSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)148A
Leistung max500W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)25µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce5.15nF @ 25V
EingangStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartChassis Mount
Paket / FallISOTOP
LieferantengerätepaketISOTOP®
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