| Numero de parte | APT100GT60JR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de IGBT | NPT |
| Configuración | Single |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 148A |
| Potencia - Max | 500W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 100A |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 25µA |
| Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 5.15nF @ 25V |
| Entrada | Standard |
| Termistor NTC | No |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | ISOTOP |
| Paquete de dispositivo del proveedor | ISOTOP® |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
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Descripción: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
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Descripción: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
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