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| Número da peça | SIDC24D30SIC3 |
|---|---|
| Status da Parte | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Máx.) | 300V |
| Corrente - Média Rectificada (Io) | 10A (DC) |
| Voltagem - Encaminhar (Vf) (Máx.) @ Se | 1.7V @ 10A |
| Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo de recuperação inversa (TRR) | 0ns |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr | 200µA @ 300V |
| Capacitance @ Vr, F | 600pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | Die |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | Sawn on foil |
| Temperatura de operação - junção | -55°C ~ 175°C |
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 75A WAFER
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: DIODE SILICON 300V 10A WAFER
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 100A WAFER
Em estoque: 0
