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| Artikelnummer | SIDC24D30SIC3 |
|---|---|
| Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
| Dioden-Typ | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 10A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 0ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 200µA @ 300V |
| Kapazität @ Vr, F | 600pF @ 1V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Sawn on foil |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 175°C |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 75A WAFER
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: DIODE SILICON 300V 10A WAFER
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 100A WAFER
Auf Lager: 0
