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| Numéro d'article | SIDC24D30SIC3 |
|---|---|
| État de la pièce | Discontinued at Digi-Key |
| Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 10A (DC) |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 10A |
| La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 300V |
| Capacitance @ Vr, F | 600pF @ 1V, 1MHz |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | Die |
| Package de périphérique fournisseur | Sawn on foil |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Fabricant: Infineon Technologies
La description: DIODE GEN PURP 600V 75A WAFER
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
En stock: 0
Fabricant: Infineon Technologies
La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
En stock: 0
Fabricant: Infineon Technologies
La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
En stock: 0
Fabricant: Infineon Technologies
La description: DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
En stock: 0
Fabricant: Infineon Technologies
La description: DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
En stock: 0
Fabricant: Infineon Technologies
La description: DIODE SILICON 300V 10A WAFER
En stock: 0
Fabricant: Infineon Technologies
La description: DIODE GEN PURP 600V 100A WAFER
En stock: 0
