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| Numero de parte | SIDC24D30SIC3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 10A (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 10A |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200µA @ 300V |
| Capacitancia @ Vr, F | 600pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | Die |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Sawn on foil |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 175°C |
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 75A WAFER
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE SILICON 300V 10A WAFER
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 100A WAFER
En stock: 0
