Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - RF 2SC3356-T1B-R25-A

CEL 2SC3356-T1B-R25-A

Número da peça
2SC3356-T1B-R25-A
Fabricante
CEL
Descrição
SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
CEL California Eastern Labs

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Parâmetro do produto
Número da peça2SC3356-T1B-R25-A
Status da ParteObsolete
Tipo de transistorNPN
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.)12V
Frequência - Transição7GHz
Figura de ruído (dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
Ganho11.5dB
Power - Max200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Temperatura de operação150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / CasoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de dispositivos de fornecedoresSOT-23-3
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