ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - バイポーラ(BJT) - RF 2SC3356-T1B-R25-A

CEL 2SC3356-T1B-R25-A

部品番号
2SC3356-T1B-R25-A
メーカー
CEL
説明
SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - バイポーラ(BJT) - RF
CEL California Eastern Labs

CEL California Eastern Labs

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製品パラメータ
部品番号 2SC3356-T1B-R25-A
部品ステータス Obsolete
トランジスタタイプ NPN
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 12V
周波数 - 遷移 7GHz
ノイズ・フィギュア(dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz
利得 11.5dB
電力 - 最大 200mW
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce 50 @ 20mA, 10V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 100mA
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3
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