Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - HF 2SC3356-T1B-R25-A

CEL 2SC3356-T1B-R25-A

Artikelnummer
2SC3356-T1B-R25-A
Hersteller
CEL
Beschreibung
SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
CEL California Eastern Labs

CEL California Eastern Labs

cel is a stable provider of rf & optoelectronic components and rf modules.

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Produktparameter
Artikelnummer2SC3356-T1B-R25-A
TeilstatusObsolete
Transistor-TypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)12V
Frequenz - Übergang7GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
Gewinnen11.5dB
Leistung max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)100mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3
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